Seria
TTL cu diode Schottky
Pentru evitarea saturatiei tranzistoarelor s-a folosit metoda de
evitare prin reactie negativa neliniara
folosind diode de evitare a saturatiei. Saturarea
tranzistoarelor ( la 0L la iesire,
T1, T2, T3 se satureaza determina
aparitia
unor noi purtatori
de sarcini minoritari in regiunea baza - colector
u
un timp de intarziere
suplimentar (timpul de stocare) si
deci scade viteza de lucru a circuitului. Ca diode de evitare a saturatiei
tranzistoarelor se foloseste
dioda SCHOTTKY format dintr-o portiune metal-semiconductor (Aluminiu-Siliciu)
deoarece prezinta
un timp de stocare practic nul. Caderea de tensiune directa pe dioda
este de 0,5V, iar tensiunea de prag este de 0,35 V (fata
de 0,75 sau 0,65 la diodele cu siliciu). Tranzistoarele prevazute
cu dioda
Schottky in paralel cu jonctiunea
baza-colector
se numes tranzistoare Schottky. Functionarea
unui tranzistor Schottky:
- pentru o tensiune de deblocare a tranzistorului de
aproximativ 0,6V, dioda nu conduce (initial
tranzistorul este blocat deci VCE este relativ mare)
- cand
tranzistorul intra in
zona activa
(VBE=0,7V) VCE
trebuie sa
scada.
Dioda va fi blocata cat
timp VB - VC < 0,35V.
- daca tranzistorul tinde sa
satureze (VBE=0,75V, VCE=0,2V) u
se deblocheaza
dioda u
preia un curent de conductie din baza (cu atat mai mare cu cat VCE este mai
aproape de 0,2V = VCES) u scade curentul
de baza
al tranzistorului u
nu se va mai putea satisface conditia de saturatie 
IB >= IC u
tranzistorul nu se satureaza
