Fizica
CmosCMOS CMOS este, ca si CCD, o tehnologie pe baza de siliciu si are proprietati fundamentale relativ similare din punct de vedere al sensitivitatii in spectrul vizibil si aproape de infrarosu [12][24][87][104][142][206][207]. Ambele tehnologii convertesc lumina incidenta sub forma de fotoni in sarcini electrice sub forma de electroni. Senzorii color pot fi fabricati in ambele tehnologii, in mod normal, prin adaugarea la fiecare pixel a unor filtre de culoare (de exemplu rosu, verde si albastru). Tehnologia CMOS este o tehnologie de tip semiconductor metal - oxid si este arhitectura cea mai folosita pentru tehnica de calcul, unitati centrale si module de memorie. Senzorii de imagine CMOS (figura 2.13) performanti folosesc tehnica APS (active pixel) care a fost dezvoltata la NASA Jet Propulsion Laboratory la mijlocul anilor 1990
Senzorii CCD sunt produsi pe linii de fabricatie specializate pe care nu se pot produce alte circuite integrate ceea ce creste pretul de cost. Alte linii de fabricatie folosesc tehnologia CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor pentru circuite integrate pentru procesoare si memorii. De exemplu procesorul Pentium III contine 10 milioane de elemente active de acest tip. Fabricand senzori de imagine pe astfel de linii de fabricatie conduce la scaderea importanta a costului.
Trebuie precizat ca aici termenul CMOS se refera la modalitatea de fabricatie si nu la o tehnologie specifica pentru senzori. Exista doua variante de baza pentru senzorii de imagine CMOS: ! Pasivi ! Activi. PPS (Passive pixel sensors) a fost prima varianta dezvoltata in anii 1960. La nivelul zonelor fotosensibile lumina sub forma de fotoni este convertita in sarcini, adica electroni. Sarcina acumulata pe timpul expunerii, integrarii, este citita si amplificata. Senzorii sunt mici, atat cat sa permita expunerea zonei fotosensibile si sa includa conexiunile. Problema majora o constituie, la acest tip se senzori, zgomotul materializat intr-o retea pe fundalul imaginii. Pentru a inlatura acest zgomot de fond sunt necesare etape de prelucrare suplimentare. APS (Active pixel sensors) reduce exact zgomotul amintit pentru varianta pasiva. Circuite specializate la nivelul fiecarui pixel determina si anuleaza zgomotul aparut. De la aceste circuite active vine si numele tehnologiei. Performatele acestei variante de tehnologie CMOS se apropie de performatele oferite de tehnologia CCD si permit realizarea de senzori de mare dimensiune si inalta rezolutie. Tehnologia CMOS permite includerea in cipul senzorului a unor functii suplimentare (inclusiv pentru micsorarea jitterului si stabilizarea imaginii sau compresia imaginii, pe langa cele amintite anterior) care necesita cipuri suplimentare la CCD. In aceasta tehnologie se poate comuta rapid intre achizitia de imagini (fotografii) si achizitia de secvente video (filme). Trebuie subliniat ca in acest ultim caz ramane de rezolvat, la nivelul calculatorului cu care este cuplata camera, problema memorarii in timp real a volumului mare de informatie asociat secventelor video. Prin prezenta circuitelor suplimentare de eliminare a zgomotelor se micsoreaza procentul zonelor influentate de lumina din suprafata totala a circuitului (fill factor - procentul de acoperire). In acest fel sensitivitatea la lumina scade si apar probleme legate de calitatea imaaginilor achizitionate in conditii de lumina putina. Situatia se poate corecta, extern, prin prezenta surselor de lumina de tip flash si prin marirea timpului de expunere. Din punct de vedere tehnologic, intern, se recurge la introducerea de microlentile pentru fiecare pixel, pentru a aduna mai multa lumina, si la reducerea circuitelor suplimentare. Pentru ca senzorii CMOS au un nivel de zgomot mai mare decat senzorii CCD este nevoie de un timp de procesare mai mare intre doua imagini. Se pot folosi pentru aceasta procesoare de semnal (DSP) specilizate. Pretul este un avantaj major pentru CMOS ceea ce determina tendinta de a indrepta cercetarile in directia producerii unor astfel de senzori si de a le imbunatatii performantele
|